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DDR : Samsung empile les puces et monte à 4 Go

23 avril 2007 à 18h53
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En avril 2006, Samsung annonçait la mise au point de modules de mémoire flash composés de plusieurs puces, empilées les unes sur les autres et capables de communiquer les unes avec les autres grâce à de minuscules canaux percés au laser. Aujourd'hui, le fabricant indique par voie de communiqué qu'il est parvenu à adapter cette technologie pour pouvoir l'employer dans le cadre de la production de barrettes de mémoire vive DDR2.

Grâce à cette technologie, baptisée TSV pour Through Silicon Via, Samsung affirme être en mesure de mettre au point des barrettes de mémoire de 4 Go. Une barrette serait alors composée de seize modules de mémoire, chacun de ces modules étant lui-même composé de quatre puces de 512 Mb (64 Mo) empilées verticalement.

Comparée aux méthodes d'empilement des puces existantes, cette technique permet d'obtenir des modules finaux plus petits dans la mesure où elle élimine l'espace nécessaire aux interconnexions entre les différentes puces. Sur les modules à puces multiples traditionnels, un espace de quelques dizaines de microns sépare les puces afin que puissent courir les câbles qui servent à l'interconnexion.

Avec les puces TSV, Samsung explique qu'il est possible de coller les puces les unes aux autres, les câbles passant par les canaux creusés au laser. Le coréen affirme en outre avoir résolu le principal problème des modules à puces multiple (MCP, Multi-Chip Package), dont les connexions internes sont susceptibles de jouer les goulots d'étranglement.
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