La mémoire HBM3 est sur les rails chez le Coréen SK Hynix. Le fabricant de semi-conducteurs a annoncé être le premier a avoir mené à bien le développement d'un module HBM de nouvelle génération.
Ce nouveau type de DRAM, le plus rapide à l'heure actuelle selon SK Hynix, prendra la suite de la mémoire HBM2E, dont la production en masse a débuté en juillet 2020. La HBM3 est donc la quatrième génération de mémoire HBM (High Bandwidth Memory) et permettra un nouveau bond en avant en matière de performances. Ce type de mémoire vive pourrait servir à certaines cartes graphiques, mais sera surtout employé sur le terrain des supercalculateurs et du machine learning.
SK Hynix veut rester premier
Dans son communiqué, daté du 20 octobre dernier, SK Hynix explique que cette nouvelle avancée va lui permettre de rester numéro 1 sur l'innovation. Il faut dire qu'il avait aussi été le premier à dégainer la mémoire HBM2E l'an passé.
« La HBM3 de SK Hynix n'est pas seulement la DRAM la plus rapide au monde, elle est également dotée de la plus grande capacité et d'un niveau de qualité considérablement amélioré », avance la marque coréenne. On apprend notamment que les premiers modules HBM3 seraient capables de traiter jusqu'à 819 Go de données par seconde. En d'autres termes, elle peut transférer l'équivalent de 163 films Full HD de 5 Go chacun en une seule seconde. Il s'agit, d'après SKH, d'une augmentation de 78 % de la vitesse de traitement des données par rapport à la mémoire HBM2E actuelle.
La marque précise par ailleurs que sa mémoire HBM3 intègre un code de correction des erreurs qui permet d'améliorer la fiabilité des transferts… et, par conséquent, celle du produit.
Des modules 16 et 24 Go dans un premier temps
Si SK Hynix n'annonce pas encore de date pour une production en masse de sa nouvelle mémoire HBM3, le constructeur explique dès à présent qu'elle sera proposée en deux capacités à son lancement : 16 et 24 Go.
Pour nous donner une idée de la prouesse technologique que représente le développement de ce nouveau standard, la marque explique notamment que pour les modules de 24 Go, la hauteur d'une puce DRAM se limite à environ 30 micromètres, l'équivalent d'un tiers de l'épaisseur d'une feuille de papier A4. Ces puces sont ensuite empilées verticalement les unes sur les autres à l'aide d'une technologie baptisée « Silicon Via » afin de constituer un module.
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Source : TechPowerUp
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