Toshiba a fait savoir qu'il livrera à partir du mois d'avril, en masse, des composants de mémoire NAND Flash (modèle à lecture et écriture rapides) de 2 Go ou 16 Gb. Ces composants gravés en 56 nanomètres ont été développés par Toshiba, avec l'aide de
125. Ils devraient logiquement se retrouver dans certains produits grand public comme les cartes mémoires, les baladeurs ou encore les téléphones mobiles. Ils pourraient aussi être employés au sein des
Disques durs à base de mémoire Flash : les SSD (Solid State Disk). Selon Toshiba, cette puce offre une vitesse d'écriture particulièrement élevée de 10 Mo/seconde, soit une performance doublée par rapport aux puces de génération précédente. Performance qui est particulièrement intéressante pour les SSD, même si on peut regretter que la vitesse en lecture ne soit pas encore communiquée.
Toshiba aurait d'ores et déjà commencé à produire en masse une version 1 Go de cette puce. Ces nouveaux composants doivent permettre à la firme japonnaise de faire face à Samsung, numéro 1 sur le marché de la mémoire Flash, qui avait annoncé sa puce 2 Go gravée en 50 nanomètres au mois de septembre 2005 (
voir l'actualité Un chip NAND Flash de 2 Go signé Samsung) pour une disponibilité fin 2006.
La puce de mémoire Flash NAND de Samsung est annoncée au prix pièce de 3800 Yens soit environ 24,2 euros HT.
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