Intel & Micron : 3 bits par cellule pour de la Flash

Partenaires dans le domaine de la mémoire Flash, Intel et Micron viennent d'annoncer la mise au point de cellules de mémoire Flash capables de stocker trois bits d'information, contre deux dans l'actuelle mémoire MLC (Multi-Level Cell). Une avancée, déjà accomplie par l'alliance Sandisk / Toshiba, qui devrait permettre de réduire le rapport coût de fabrication / stockage de la Flash.

Dans un premier temps, Intel et Micron se concentreront sur la production de modules de 32 Gb, soit 4 Go, qui pourraient venir équiper les SSD du marché. Les deux partenaires se félicitent en outre d'avoir réussi à implémenter ces trois bits par cellule tout en tirant parti d'une finesse de gravure de 34 nanomètres.

La production de masse devrait démarrer dans le courant du quatrième trimestre, promettent-ils enfin. Reste à voir quel sera l'impact de cette avancée sur les performances en lecture / écriture ; la SLC, qui ne stocke qu'un bit par cellule, se révèlant déjà bien plus rapide que la MLC à deux bits par cellule.

Kevin Kilbuck, du marketing de Micron, présente l'intérêt de ces trois bits par cellule dans la vidéo ci-dessous (en anglais).