Samsung présente des puces mémoire DDR3 de 4 Gb

Samsung vient d'annoncer la finalisation de ce qu'il présente comme les premiers modules de mémoire de 4 Gb (soit 512 Mo) de DDR3. Gravées en 50 nanomètres, ces puces résulteraient de nouvelles méthodes d'assemblage, permettant d'augmenter la densité et d'atteindre cette capacité record. Le sud-coréen évoque une tension de fonctionnement de 1,35V, avec une efficacité énergétique accrue par rapport aux générations précédentes, ainsi qu'une bande passante théorique de 1,6 Gb/s.

A raison de 32 modules par PCB, Samsung indique qu'il devient aisé de mettre au point des barrettes de 16 Go répondant aux prérequis nécessaires à l'intégration dans un serveur ou une station de travail haute performance. En concevant des barrettes équipées de deux couches de modules de mémoire, le fabricant s'estime même en mesure de concevoir des barrettes de 32 Go. Pour l'instant, Samsung se garde bien d'évoquer prix, date d'entrée en production ou date de mise sur le marché.