Samsung et Hynix fuient vers la NAND Flash

Les lignes de production de mémoire de type NAND Flash (mémoire non-volatile aux cycles d'écritures/lectures rapides) continuent d'être vraiment plus avantageuses que celles dédiées à la mise au point de mémoire classique de type DRAM. En effet, la demande en mémoire NAND Flash est toujours en hausse et les marges sont plus confortables sur ce marché.

Sur ce sujet, ce n'est pas Samsung et Hynix qui vont nous contredire puisque les deux mastodontes prévoient d'ores et déjà d'augmenter les capacités de leurs lignes de production liées à la mémoire NAND Flash. Aucun chiffre n'a été donné, mais on sait déjà que c'est la production de mémoire DRAM qui va faire les frais de cette nouvelle orientation.

Ainsi, d'ici la fin de l'année, les deux marques vont réduire respectivement de 15 et 20% la production de wafers (galettes de chips mémoire - voir photo ci-contre) de DRAM. Samsung avait déjà réduit cette capacité de production en début d'année. Ce changement de cap pourrait avoir des conséquences sur les prix des barrettes mémoires qui sont toujours à la baisse.

Samsung et Hynix sont les deux plus importants fabricants de mémoire DRAM, ils dominent le marché avec des parts respectives de 28.8 et 16.4%. La mémoire NAND Flash est principalement utilisée dans les Clés USB, les Cartes Mémoire, les baladeurs audio numérique et les téléphones mobiles.