Samsung Electronics, division semi-conducteur du géant sud coréen, a récemment annoncé qu'il avait démarré la production de puces de mémoire vive DDR3 de 4 Gbits (512 Mo) reposant sur un procédé de fabrication à 40 nm. Ces puces permettent dorénavant de concevoir des modules de 16 et même 32 Go pour ordinateur fixe (serveur ou station de travail), mais aussi et surtout des modules SODIMM de 8 Go pour ordinateur portable, le double de la capacité maximale commercialisée jusqu'à présent.
Ces modules peuvent fonctionner sous une tension de 1,35 ou 1,5 V et à une fréquence allant jusqu'à 1 600 MHz. En augmentant la capacité par module, Samsung revendique par ailleurs une économie d'énergie de 35%.
Le fabricant a enfin annoncé qu'il comptait migrer plus de 90% de sa production de mémoire vive DDR vers la finesse de gravure de 40 nm.
Romain Heuillard
C'est vers l'âge de 12 ans, lorsque j'ai reçu mon premier ordinateur (un Pentium 100), que j'ai décidé d'abandonner ma prometteuse carrière de constructeur de Lego pour me consacrer pleinement à ma no...
C'est vers l'âge de 12 ans, lorsque j'ai reçu mon premier ordinateur (un Pentium 100), que j'ai décidé d'abandonner ma prometteuse carrière de constructeur de Lego pour me consacrer pleinement à ma nouvelle passion pour l'informatique.
Depuis je me suis aussi passionné pour l'imagerie en général et pour la photo en particulier, mais je reste fan de sujets aussi obscurs que les procédés de fabrication de composants électroniques ou les microarchitectures de processeurs, que l'infiniment grand et l'infiniment petit.
Je suis enfin foncièrement anti-DRM et pro-standards ouverts.
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