Les fabricants de terminaux mobiles devraient apprécier : le japonais Toshiba a annoncé cette semaine la mise au point de nouvelles puces de mémoire Flash NAND gravées en 32 nanomètres affichant la capacité record de 64 Go. Pour ce faire, il a simplement réuni au sein d'une même enveloppe 16 modules de 32 Gb (4 Go), associées à un contrôleur mémoire dédié. L'ensemble ainsi obtenu affiche des dimensions de 14 x 18 x 1,4 mm, et permettrait selon le fabricant d'atteindre des débits théoriques maximum de l'ordre de 37 Mo/s en lecture, contre 20 Mo/s en écriture.
Plus que les performances, l'intérêt vient ici essentiellement de la compacité du
package réalisé par Toshiba. Aujourd'hui, les fabricants de téléphones ou de baladeurs qui souhaitent aligner 32 Go de mémoire Flash dans leurs appareils font généralement appel à plusieurs puces, qu'ils alignent sur un PCB miniature dédié. L'encombrement n'est pas anodin et, de ce fait, le prix n'est pas le seul facteur limitant à l'augmentation des capacités. Avec un tel module, il devient donc aisément concevable de réaliser des terminaux munis de 64, voire 128, Go de mémoire Flash.
Pour l'instant, Toshiba indique en être à la réalisation des premiers exemplaires de test. La production de masse devrait quant à elle débuter dans le courant du premier trimestre 2010.
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