Considérée comme l'avenir de la mémoire Flash, du fait de caractéristiques techniques supérieures, la mémoire à changement de phase, ou PRAM pour Phase-change Random Access Memory, pourrait devenir une réalité commerciale dès le mois de juin prochain. C'est du moins la promesse faite par Samsung, qui annonce qu'il sera en mesure d'en débuter la production à grande échelle à cette date.
Pour simplifier, la méthode du changement de phase consiste à conserver des données grâce à une modification de la structure de la cellule. En s'échauffant rapidement, lorsqu'elle est traversée par un courant électrique, cette dernière peut être cristalline à un moment et amorphe l'instant d'après. Pour y stocker des données, et les lire, il suffit donc d'interpréter cet état, et de lui attribuer la valeur 0 ou 1, base du langage binaire.
Comme la mémoire flash, la PRAM est non volatile : elle est donc capable de conserver des données même si elle n'est plus alimentée, contrairement à la DRAM qui équipe nos ordinateurs (mémoire vive). La PRAM serait jusqu'à trente fois plus rapide que la mémoire NOR, notamment parce qu'il n'est pas nécessaire de commencer par effacer les données avant d'en inscrire de nouvelles.
Par ailleurs, les puces de PRAM auraient une durée de vie jusqu'à dix fois supérieure, occuperaient deux fois moins de place à capacité équivalente que leurs consoeurs NOR et couteraient jusqu'à 20% moins cher à produire.
Surnommée « Perfect RAM » par Samsung, la PRAM devrait faire son apparition sous forme de puces de 4 Gb (512 Mo) dès le mois de juin. Elle pourrait alors venir remplacer la Flash NOR au sein des terminaux mobiles et autres dispositifs embarqués.
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