Samsung : les nouvelles puces mémoire UFS 3.1 de 512 Go arrivent

Samsung vient tout juste de lancer la production de nouveaux supports de stockage en eUFS 3.1.

Nouveau stockage chez Samsung

Samsung confirme aujourd'hui avoir démarré la production de masse de sa première carte mémoire eUFS 3.1, qui devrait être intégrée dans les prochains flagships. Une nouvelle mémoire qui dépasse le seuil de performance de 1 Go/s en écriture séquentielle.

Pour Samsung : « Avec une vitesse d'écriture séquentielle de plus de 1 200 Mo/s, la carte mémoire eUFS 3.1 de 512 Go est deux fois plus rapide qu'un PC basé sur SATA (540 Mo/s) et dix fois plus rapide qu'une carte microSD UHS-I (90 Mo/s) ». Pour tranférer 100 Go de données, un smartphone en eUFS 3.1 demandera de patienter environ 1 minute et 30 secondes, contre 4 minutes (selon Samsung) en UFS 3.0.


Toujours selon le géant coréen, cette nouvelle mémoire eUFS 3.1 assure un traitement des données jusqu'à 60 % plus rapide que ce que permet la génération actuelle. À noter qu'en plus d'une version 512 Go, Samsung va également produire des déclinaisons 128 Go et 256 Go.

Source : ZDNet