Samsung : 3,5 Mds $ pour la mémoire flash

Samsung entreprend depuis 2006 la mise à jour de sa seule usine située aux Etats-Unis en vue d'augmenter ses capacités de production en matière de mémoire flash NAND. La firme sud-coréenne révèle aujourd'hui que les investissements consentis se monteront à environ 3,5 milliards de dollars. A l'heure actuelle, cette usine n'est utilisée que pour la production de mémoire DRAM. Numéro un mondial de la mémoire DRAM comme de la mémoire flash NAND, Samsung doit faire face à la montée en puissance de concurrents comme Hynix ou Toshiba, qui essaient de profiter de la croissance exponentielle de la demande en matière de mémoire flash pour lui ravir des parts de marché.

Utilisée dans une large série d'appareils grands publics, des téléphones aux baladeurs en passant par les ordinateurs ou les appareils photo, la mémoire flash est l'objet d'un marché en progression de 54% sur un an d'avril 2006 à avril 2007 selon les derniers chiffres publiés par la Semiconductor Industry Association (SIA). Elle estime par ailleurs que les ventes de baladeurs multimédia et MP3 devraient enregistrer une croissance de 20% en 2007 pour atteindre 215 millions d'unités, ce qui devrait logiquement contribuer à tirer vers le haut les ventes de mémoire flash.



Cette nouvelle « fab » produira des wafers de 300 mm, contenant environ 1200 modules de mémoire de 256 Mb. Samsung indique qu'elle devrait être capable de sortir 60.000 wafers par mois dès 2008.