Intel : mémoire flash NOR en 65 nm dès 2008

Gravée en 90 nanomètres depuis fin 2005, la mémoire flash NOR produite par Intel passera au 65 nanomètres dès le début de l'année 2008, annonce cette semaine le fondeur dans un communiqué. Intel explique que cette finesse de gravure supérieure lui permettra aussi bien de réduire les coûts de production que d'augmenter la densité de ses puces de mémoire. Selon lui, ce mouvement contribuera à renforcer l'attrait de la mémoire flash NOR auprès des fabricants d'équipements électroniques grand public.

La mémoire flash NOR délivre une vitesse de lecture supérieure à celle de la mémoire flash NAND - utilisée le plus souvent comme mémoire de stockage dans les baladeurs, téléphones, etc. - mais sa production est plus coûteuse. En outre, la NOR est pénalisée par de faibles vitesses d'écriture, ainsi que par une faible vitesse d'effacement. De ce fait, elle est généralement réservée au stockage du système d'exploitation d'un appareil mobile. La mémoire NOR 65 nm d'Intel afficherait toutefois une vitesse d'écriture deux fois supérieure à celle des puces gravées en 90 nm.