Samsung, mémoire DDR2 gravée en 80 nanomètres

Samsung a annoncé aujourd'hui qu'il était le premier fabricant de mémoire à produire en masse des puces 512 Mbits (64 Mo) de DDR2 à l'aide d'une finesse de gravure de 80 nanomètres. Auparavant, Samsung avait concentré ses efforts sur les productions en 90 nanomètres.

Grâce à l'utilisation de ce nouveau processus de fabrication, Samsung espère pouvoir produire des modules de mémoire moins coûteux et plus performants. Le fabricant a notamment précisé que le passage du 90 au 80 nanomètres devrait améliorer de 50% ses rendements en sortie d'usine. La mémoire DDR2 devrait représenter une part de marché importante cette année puisqu'AMD devrait employer, à son tour, de la mémoire DDR2 avec ses Processeurs Socket AM2. De son côté, Intel exploite la mémoire DDR2 depuis plusieurs années déjà.