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Samsung grave en 30 nm une puce mémoire de 32 Go

Toshiba Flash NAND 43 nm
À l'heure où les fabricants de cartes graphiques bataillent sur le 40 nm, Samsung Electronics annonce la mise en vente d'une carte mémoire de 32 Go gravée en... 30 nm ! Elle abrite pour ce faire huit puces de mémoire moviNAND à la densité record de 32 Gb chacune.

D'après Samsung, ce nouveau procédé de gravure aurait permis de doubler la capacité par rapport à la précédente génération. La précédente génération de cartes mémoires moviNAND fait appel à une finesse de gravure de 40 nm et plafonne par conséquent à la capacité maximale de 16 Go. Samsung devrait toutefois décliner sa puce 30 nm de 32 Gb pour la production de cartes mémoires de 16, 8 et 4 Go.

Ces puces sont destinées aux téléphones portables et aux dispositifs mobiles hauts de gamme, les premières annonces de produits tirant parti de ces nouvelles puces étant attendues prochainement. D'après une étude, la demande de puces d'une telle capacité devrait augmenter significativement en 2013, date à laquelle trois quarts des cartes mémoires commercialisées feront au moins 32 Go.
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