Samsung : mémoire DDR2 en 70 nanomètres

Samsung a dévoilé aujourd'hui ses premiers chips de mémoire de type DDR2 512 Mb (64 Mo) produits avec une finesse de gravure de 70 nanomètres. A l'heure actuelle, la plupart des chips DDR2 sont produits en 90 et en 80 nanomètres. Samsung annonce que cette finesse de gravure va permettre de produire des chips DDR2 moins chers et plus performants.

Samsung ajoute que ses chips de mémoire DDR2 de 512 Mb (64 Mo), 1 Gb (128 Mo) et 2 Gb (256 Mo) gravés en 70 nanomètres seront produits en masse à partir du premier semestre 2006. Cette année, la mémoire DDR2 est devenue très abordable. Pour le moment, elle n'est utilisée qu'avec les plateformes Intel, mais elle devrait largerment se démocratiser à partir de l'année prochaine avec la « bénédiction » supplémentaire d'AMD. Tandis que Microsoft lancera Windows Vista, qui risque de relancer la demande en mémoire de façon significative.