Mémoires DDR5 en 12 nm : Samsung lance la production de masse

Nerces
Spécialiste Hardware et Gaming
18 mai 2023 à 16h00
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© Samsung
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Alors que la mémoire vive DDR5 a déjà bien progressé, les puces 12 nm de Samsung devraient ouvrir la voie à de nouveaux records.

Soucieux de mettre la pression à ses concurrents, la société sud-coréenne Samsung vient donc de débuter la production de masse de ses puces de DDR5 en 12 nm, communiqué de presse à l'appui.

Le 12 nm pour faire la course en tête

Ce communiqué de presse ne tarit évidemment pas d'éloges sur les capacités industrielles de Samsung et souligne que cette mise en production de puces de 16 Gb de DDR5 12 nm lui permet de « réaffirmer son leadership dans les technologies DRAM de pointe ».

Selon Jooyoung Lee, vice-président exécutif DRAM Product & Technology chez Samsung Electronics : « Utilisant une technologie de processus différenciée, la mémoire DRAM DDR5 de classe 12 nm de Samsung offre des performances et une efficacité énergétique exceptionnelles. Notre dernière DRAM reflète notre engagement continu à dominer le marché de la DRAM, non seulement avec des produits hautes performances et haute capacité qui répondent à la demande du marché informatique pour un traitement à grande échelle, mais également en commercialisant des solutions de nouvelle génération qui autorisent une plus grande productivité. »

© Samsung
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Moins de consommation, plus de débit

Le communiqué de presse publié par Samsung revient de manière plus précise sur les apports de cette nouvelle génération de DDR5. Il serait ainsi question d'une consommation énergétique réduite de 23 %.

Mieux, cette sobriété n'affecterait pas le rendement des wafers, bien au contraire. Samsung évoque ainsi une productivité en hausse de 20 % ce qui en fait « la solution idéale pour les sociétés des technologies de l'information qui souhaitent réduire la consommation énergétique et l'empreinte carbone de leurs serveurs et centres de données ».

Par ailleurs, le 12 nm rendu possible par l'utilisation de nouveaux matériaux permet de réduire la tension de fonctionnement alors que les performances ont encore augmenté. Samsung évoque 7,2 Gbps pour ses nouvelles puces et s'amuse à la comparer au transfert de deux films UHD de 30 Go : cela se ferait en une seconde.

Source : TechPowerUp

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Tombé dans le jeu vidéo à une époque où il fallait une belle imagination pour voir ici un match de foot, là un combat de tanks dans ces quelques barres représentées à l'écran, j'ai suivi toutes les évolutions depuis quarante ans. Fidèle du PC, mais adepte de tous les genres, je n'ai du mal qu'avec les JRPG. Sinon, de la stratégie tour par tour la plus aride au FPS le plus spectaculaire en passant par les simulations sportives ou les jeux musicaux, je me fais à tout... avec une préférence pour la gestion et les jeux combinant plusieurs styles. Mon panthéon du jeu vidéo se composerait de trois séries : Elite, Civilization et Max Payne.

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Commentaires (8)

jeanlain
« Samsung évoque 7,2 Gbps pour ses nouvelles puces et s’amuse à la comparer au transfert de deux films UHD de 30 Go : cela se ferait en une seconde. »<br /> Y’a une coquille quelque part là non ?<br /> 30Go à 7,2 Gb/s, je calcule que ça devrait prendre 33 secondes ?
jeroboam64
Cette article est du pur marketing qui promet des performances incroyables …un peu comme les voitures électriques dont certaines marques n’hésitent pas a multiplier part deux voir plus l’autonomie des batteries et comme l’on dit les belles promesses n’engagent que ceux qui y croit …
gamez
30Go à 7,2 Gb/s, je calcule que ça devrait prendre 33 secondes ?<br /> même pas puisqu’il est question de « deux » films de 30Go xD
MattS32
Les débits sont exprimés en Gbit/s et par ligne du bus.<br /> Un bus DDR5 standard étant sur 64 bits, ça fait un débit de données brut de 7.2*64/8 = 57.6 Go/s.<br /> Soit effectivement à peu près deux films de 30 Go en une seconde.
bennukem
Un bus DDR5 a une bande passante de 32,000 à 64,000 MB/s<br /> Le chip mémoire seul arrive à 7.2Gb/s, mais sur une barrette, tu as combien de chip ?
jeanlain
Bah je sais pas, c’est une news sur le bus DDR5 ou sur les nouveaux chip de chez samsung ?<br /> Je comprends maintenant que c’est lié au débit du bus et non des puces, sauf que c’est absolument pas clair dans l’article qui ne mentionne nulle part le débit du bus DDR5, ou le fait que cette comparaison est basée sur une barrette avec plusieurs chips.
ullbach
la division Dram samsung ou Micron a connu une grande souffrance pris en étau dans la guerre technologique entre usa et chine;<br /> Les chinois avaient réussi à sortir en peu de temps probablement le meilleur acteur en Dram (YTMC et technologie Xtacking) qui était sur le point de briser le duopole avant qu’ils ne soient mis sur liste noire. Entre temps, ils construisent une usine et cherchent des outils propres pour graver leur ssd.<br /> Tom's Hardware – 3 Aug 22<br /> YMTC Announces Xtacking 3.0 for Faster, Denser 3D TLC NAND<br /> Chinese NAND increases competitiveness at 2,400 MT/s, up to 1 Tb density in a single chip.<br /> c’est simple, YTMC ont mis tout le monde en panique<br /> Apple voulait en faire un fournisseur. La géopolitique est passée par là et les projets sont aujourd’hui gelés.<br /> Il faudra donc se prendre du samsung à des prix plus elevés et de technologie moindre que YTMC<br /> il faut s’accrocher pour la suite. Comme huawei, ytmc sont artificiellement bloqués. Dès qu’ils auront maitrisé la gravure, on verra.
bennukem
C’est lié aux deux. Si tu as des puces rapides sur un bus lent, ou des puces lentes sur un bus rapide, tu comprendras qu’il y a un goulot d’étranglement.<br /> Là, on est sur de la puce rapide et du bus rapide. Ca veut dire qu’on peut utiliser le plein potentiel des deux. Donc un taux de transfert de 64GM par seconde.
jeanlain
Non mais j’ai bien compris. Mais je maintiens qu’à parler des débits du bus DDR5 … sans parler de bus DDR5, la news n’est pas claire.
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