Sandisk : Flash en 43 nm et 3 bits par cellule

En veine d'annonces, Sandisk indique cette semaine être en mesure de débuter la production de cellules de mémoire Flash gravées en 43 nanomètres, dont la taille réduite lui permettront de proposer à moyen terme des cartes mémoire ou des disques durs de type SSD de capacité supérieure à ce dont dispose le marché aujourd'hui. Dans le même temps, il évoque l'arrivée prochaine d'une nouvelle génération de cellules de mémoire Flash de type MLC (Multi Level Chip) capables de stocker trois bits de données. Ces deux avancées technologiques ont été mises au point en partenariat avec Toshiba, indique le fabricant américain.

En passant au 43 nanomètres, Sandisk affirme être en mesure d'obtenir une densité deux fois supérieure à celle offerte aujourd'hui par les cellules de 16 Gb (2 Go) gravées en 56 nanomètres. Comme toujours, cette nouvelle finesse de gravure est également censée promettre une réduction générale des coûts de production, ainsi qu'une rentabilité supérieure. Sandisk indique que la transition vers le 43 nanomètres est l'un de ses objectifs prioritaires pour 2008, et espère parvenir à proposer les premières cellules de 16 Gb dans le courant de l'année, avant de passer à la production de modèles 32 Gb.

En parallèle de cette réduction de la taille de puces, Sandisk confirme ses avancées en matière d'augmentation de la quantité d'informations stockées au sein d'une même cellule. La mémoire Flash de type MLC permet habituellement d'adopter quatre états différents, qui correspondent au stockage de deux bits de données. Ici, l'idée est de développer une combinaison de matériaux capables de stocker non pas deux mais trois bits par cellule.

Sandisk et Toshiba ont présenté à l'ocasion de la conférence ISSCC (International Solid State Circuits Conference) la méthode mise en oeuvre pour développer des puces de 16 Gb (2 Go) où chaque cellule peut stocker 3 bits. Gravées en 56 nm, elles offriraient des performances en écriture de l'ordre de 8 Mo/s et présenteraient une surface inférieure d'environ 20% à celle d'une puce équivalente à 2 bits par cellule.