La société Sud Coréenne Samsung a annoncé récemment l'arrivée prochaine d'un nouveau type de mémoire Flash NAND prévu pour permettre d'obtenir des cartes mémoires dotées de plus de capacité de stockage.
Cette mémoire Flash NAND de Samsung est en effet gravée à 50 nanomètres et possède une capacité de stockage de 16-gigabit, la société ne proposant avant celle-ci que des mémoires Flash NAND gravées à 60nm pour une capacité de 8-gigabit.
Concrètement parlant, la Samsung annonce la commercialisation prochaine d'une telle mémoire à la fin de l'année 2006. Cette puce de mémoire Flash est de plus annoncée comme possédant des dimensions assez compactes pour permettre de l'utiliser dans des cartes mémoires standards. A cette occasion, c'est une carte mémoire d'une capacité de pas moins de 32GB qui est annoncée par la société.
Non content de contrôler actuellement 60% du marché mondial de la mémoire Flash NAND, Samsung ambitionne également de détrôner les cartes MicroDrive, destinées jusqu'ici à posséder des capacités de stockage les plus importantes. Concurrent direct de la société, Hitachi a annoncé pour sa part que des MicroDrive d'une capacité de 20GB ne seraient pas commercialisés avant 2007.
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