Mémoire DDR2 gravée en 40 nanomètres chez Samsung
Samsung, qui présentait fin janvier ses premiers modules de 4 Gb de DDR3, annonce aujourd'hui être parvenu développer, et valider industriellement, ce qui deviendra selon lui les premières puces de mémoire vive DDR2 gravées en 40 nanomètres. Une avancée majeure, selon le sud-coréen, puisqu'elle lui permettrait d'augmenter de 60% sa productivité par rapport aux actuels procédés de fabrication en 50 nanomètres. A capacité équivalente, ces nouvelles puces consommeraient en outre jusqu'à 30% d'énergie en moins.