Insolite : CPU à 500 GHz chez IBM et à -268° C

ypub a écrit:
En fait, pour certains projets les wafers sont vendus au mm². Telle société demande la realisation de x circuits qui couvre 1/10 du wafer, tel labo, 1/20... Cela permet soit de faire de simples etudes soit de tester des concepts avant de lancer des runs de fabrications et d'avoir x wafers qui partent à la poubelle. Il y a aussi systèmatiquement des champs de test pour que le fondeur puisse verifier ses etapes technologiques. Dans ces champs, il y a souvent des transistors, s'ils sont foireux, il y a peu de chances que des circuits plus complexes fonctionnent correctement.

Je suis au courant pour les edge seal et la scribe line, mais comme l'article précisait qu'il s'agissait d'un circuit réalisé sur une tranche de 200mm', je pensais que c'était pour montrer qu'ils avaient mis beaucoup de circuit quand meme...
un peu comme une étude pour des structures ESD, ça part sur des pizzamask.

Mais là on est pas dans un process d'industrialisation, c'est fait en interne, IBM (on leur propre fab, non?) quant à GeorgiaTech c'est plein d'étudiant et de chercheur-docteur.
Du coup, il n'y a peut etre pas d'autres circuits, surtout sur un wafer SiGe qui est là pour valider une techno.
C'est pour ça que je pensais que vous aviez peut etre trouvé plus d'infos pour affirmer qu'il s'agissait d'un Transistor HBT....

Sinon par curiosité quelle est votre profession?

IcareNot a écrit:
Mais là on est pas dans un process d'industrialisation, c'est fait en interne, IBM (on leur propre fab, non?) quant à GeorgiaTech c'est plein d'étudiant et de chercheur-docteur.

Oui mais c'est frequent que les industries et les labos collaborent sur les sujets de pointes, question d'equipements, de competences ou de contrats de recherche. Dans l'absolu, les perfs de leur transistors à 4K, ce n'est pas forcement une etude pour laquelle IBM aurait beaucoup investi en interne, c'est du marché de niche (contrat avec la NASA peut etre). Ca apporte quelques infos, cela montre la qualité de leur structure epitaxiale, l'absence de pièges dans le materiau, des dopants qui restent activés à 4K... Bref cela donne quelques infos sur la qualité du materiau meme si dans l'absolu, un transistor n'est pas forcement utile pour des etudes materiaux.

IcareNot a écrit:
C'est pour ça que je pensais que vous aviez peut etre trouvé plus d'infos pour affirmer qu'il s'agissait d'un Transistor HBT....

Ce n'etait qu'une deduction à partir d'un faisceau d'elements mais l'article à destination de la presse que tu as trouvé est assez clair sur cette question.
Sinon, on retrouve maintenant des infos concordantes sur d'autres sites (à partir de yahoo news par exemple)
http://www.extremetech.com/article2/0,1558...2129TX1K0000532
Ah tiens, la Nasa est de la partie:
http://www.testandmeasurement.com/content/...a&VNETCOOKIE=NO
et donc la c'est des infos encore plus claires:

The silicon-germanium heterojunction bipolar transistors built by the IBM-Georgia Tech team operated at frequencies above 500 GHz at 4.5 Kelvins

HBT=heterojunction bipolar transistors

Ca reste un cran en dessous des hbt III-V (de memoire, 800GHz à l'ambiante)
710 GHz à l'ambiante ici: http://www.compoundsemiconductor.net/artic...gazine/12/1/9/1
c'est les memes auteurs qui ont fait dans les 800 mais j'au la flemme de chercher :paf:

Impressionnant mais relatif...

frequence de base du processeur avant overclock 350 Ghz.

Apres........ 500 Ghz... soit un peu moins de 46 % de gain avec un refroidissement par azote....

Pour mémoire... Mon celeron 333 tournaient en frequence d'origine @ 5*66 mhz...

Apres overclocking @ 5*100 et refroidissement a air.... il tournait @500 Mhz soit presque 54 % de Gain ... :super:

Petits joueurs IBM :sol:

:lol: :lol: :lol: :lol: :lol: