Alors que la bataille de la mémoire flash se menait sur le terrain de la finesse de gravure, elle se déporte désormais sur la NAND 3D. Après Samsung, dont le 850 Pro embarque déjà cette technologie, c'est donc au tour d'Intel / Micron d'annoncer ses avancées en la matière.
Lors d'une réunion regroupant des investisseurs, le fondeur a présenté dans les grandes lignes sa NAND 3D. Composées de 32 couches (comme chez Samsung), ces puces embarqueront des dies de 32 Go, voire 48 Go pour une conception en TLC.
Grâce à une gravure probablement plus fine que celle utilisée par Samsung (40 nm), Intel promet une vraie différence quant aux coûts de production par rapport au procédé de son concurrent qui, selon toute vraisemblance, devrait toutefois faire évoluer sa NAND 3D dans le courant de l'année prochaine.
Rob Crooke, manager général de la division mémoire non volatile d'Intel, assure que cette mémoire 3D permettra la production de SSD d'une capacité de 10 To ou de réduire les puces de 1 To à moins de 2 mm, ce qui devrait considérablement profiter aux smartphones et autres tablettes. Et ce, dans les deux ans.
Mes domaines de prédilection ? Les ordinateurs portables et les SSD ! Mais de temps à autre, je m'autorise quelques infidélités pour des boîtiers, des alimentations ou des solutions de refroidissement, tests dont je suis particulièrement friand. Je déteste l'expression "Le mieux est l'ennemi du bien" (notamment lorsqu'il s'agit de rendre mon PC silencieux), les livreurs qui arrivent sans bordereau et les coups de pieds de Polo sous le bureau. J'aime réussir mes photos-produit, améliorer les protocoles de test et cocher la case "Public" de notre interface d'édition. Féru de football, je m'essaie également à la photographie à mes heures perdues et ne recule jamais devant une petite partie de poker. Le tout saupoudré de beaucoup, beaucoup de musique.
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