Chips OneNAND de 2 Go en 60 nm chez Samsung

Samsung intensifie ses efforts en direction de la mémoire flash et annonce aujourd'hui être parvenu à mettre au point des puces de mémoire flash OneNAND de 2 Go gravées en 60 nanomètres, alors que ses précédentes productions se contentaient d'une finesse de gravure de 70 nm (voir Chips NAND de 1 Go en 70 nm chez Samsung). Le passage au 60 nm a également permis à Samsung d'améliorer la vitesse d'écriture de ses puces.

Selon Samsung, la technologie OneNAND permet de combiner les avantages de la mémoire flash NOR (temps d'accès, vitesse de lecture) à ceux de la mémoire flash NAND (rapidité d'écriture, importantes capacités). Les performances seraient encore meilleures maintenant que les puces sont gravées en 60 nm puisque le coréen avance une vitesse d'écriture de 17 Mo/s, contre 9,3 Mo/s auparavant. La vitesse de lecture reste quant à elle inchangée, à 108 Mo/s, sauf si plusieurs puces sont combinées. Il est alors possible d'atteindre un débit de l'ordre de 136 Mo/s en associant jusqu'à 8 puces.

Avec de telles performances, les débouchés seraient nombreux. Samsung pense tout particulièrement aux Disques durs hybrides, ou aux systèmes de type Robson, qui visent à utiliser de la mémoire Flash comme mémoire cache pour accélérer l'accès à certains fichiers (voir Intel : Robson, la mémoire Flash optimise le PC). Samsung estime que les ventes de mémoire flash OneNAND devraient atteindre 300 millions de dollars en 2006, pour dépasser les deux milliards de dollars en 2008.