Samsung : NAND Flash 8Gbit en 70 nanomètres

Samsung a annoncé qu'il avait commencé à produire en masse des chips de mémoire NAND Flash de 4Gbit (512 Mo) en utilisant une nouvelle finesse de gravure de 70 nanomètres. Les premiers chips de mémoire Flash NAND 4 Git de Samsung ont été lancés en 2003. Aujourd'hui, l'utilisation de la finesse de gravure de 90 nanomètres va permettre de réduire les coûts de production liés à cette mémoire. Ce chip NAND 4Gbit nouvelle génération utilise un procédé qui permet d'encapsuler 4 chips de 1Gbit dans une même enveloppe. Le chip en question est capable d'offrir une vitesse d'écriture de 16 Mo/sec, soit deux fois la vitesse d'écriture d'un chip 2Gbit gravé en 90 nanomètres.

Ces nouveaux chips pourront être employés dans les téléphones mobiles, les Baladeurs MP3, les appareils photo numérique, les Clés USB, ainsi que dans certaines consoles de jeu. Le marché de la mémoire Flash devrait générer un chiffre d'affaires de 8 milliards de dollars cette année et devrait atteindre les 13 milliards d'ici 2008.

Depuis 2002, Samsung est resté le leader sur ce marché. En 2004, Samsung possédait 54% des parts de marché de la mémoire NAND Flash.