Des puces Flash NAND en 43 nm chez Toshiba dès 2009

Le spécialiste du stockage Toshiba annonce aujourd'hui le lancement imminent de la production de mémoires flash NAND gravées en 43 nanomètres. A titre de comparaison, les derniers processeurs d'Intel et d'AMD sont gravés en 45 nm et la plupart des mémoires flash sont gravées en 50 nm, en attendant les puces à 30 nm de Samsung. Les puces de Toshiba utilisent la technologie SLC (pour Single Level Cell), plus coûteuse mais également plus rapide que la technologie MLC (Multi Level Cell) employée dans la plupart des SSD commercialisés dans certains ordinateurs portables.

Toshiba n'a pas précisé quels débits ces puces étaient capable d'atteindre, ces derniers dépendent en effet des contrôleurs utilisés par les intégrateurs, on sait en revanche que le temps d'accès est de 40 microsecondes, soit 0,04 millisecondes. Un disque dur magnétique haute performance comme un Western Digital Raptor présente quant à lui un temps d'accès très légèrement inférieur à 5 millisecondes.


La gamme est déclinée en 16 modèles dont les capacités de stockage vont de 512 Mb à 64 Gb (8 Go). La production de masse débutera dès le début de l'année 2009. Ils pourront dès lors être utilisés dans des clés USB ou des supports de stockage SSD qui seront commercialisés à des prix encore inconnus.